擴散爐，硼擴，磷擴，LPCVD，PECVD

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擴散爐主要技術指標:
1、擴散爐工藝說明
1.1氧化:干氧工藝,濕氧工藝(去離子水、氫氧合成-內(nèi)/外點火)
1.2擴散:硼擴、磷擴(液態(tài)源、固態(tài)源等)
1.3合金、退火等工藝
3、擴散爐控制方式:手動送片/自動送片
5、擴散爐主要技術參數(shù):
5.1擴散爐工作溫度:200~1370℃
5.2加熱體控制點:3/6點
5.3擴散爐爐體恒溫區(qū):450mm-1100mm(可定制)
5.4恒溫區(qū)精度:>800℃/±0.5℃ ,5.5擴散爐單點溫度穩(wěn)定性:600~1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升溫速度:15℃/min
5.7擴散爐降溫速度:5℃/min(900~1300℃)
5.8供電:三相四線,380vac/50hz
擴散爐結構尺寸:水平擴散爐/垂直擴散爐
擴散爐應用:應用于集成電路、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池等領域,適用2~8英寸工藝尺寸
擴散爐主要技術指標:
1、擴散爐工藝說明
1.1氧化:干氧工藝,濕氧工藝(去離子水、氫氧合成-內(nèi)/外點火)
1.2擴散:硼擴、磷擴(液態(tài)源、固態(tài)源等)
1.3合金、退火等工藝
3、擴散爐控制方式:手動送片/自動送片
5、擴散爐主要技術參數(shù):
5.1擴散爐工作溫度:200~1370℃
5.2加熱體控制點:3/6點
5.3擴散爐爐體恒溫區(qū):450mm-1100mm(可定制)
5.4恒溫區(qū)精度:>800℃/±0.5℃ ,5.5擴散爐單點溫度穩(wěn)定性:600~1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升溫速度:15℃/min
5.7擴散爐降溫速度:5℃/min(900~1300℃)
5.8供電:三相四線,380vac/50hz
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