伯東企業(yè)上海有限公司為您提供hakuto離子蝕刻機20ibe-j 用于陶瓷基片銀薄膜減薄。某陶瓷基片制造商采用伯東 hakuto 離子蝕刻機 20ibe-j 應(yīng)用于 5g 陶瓷基片銀薄膜減薄, 通過蝕刻工藝把基片涂層銀薄膜刻蝕減薄, 并降低工差, 提高薄膜均勻性.
hakuto 離子蝕刻機 20ibe-j 技術(shù)參數(shù)
portant;">
φ4 inch x 12片
portant;"> 基片尺寸
portant;"> φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
portant;"> 均勻性
portant;"> ±5%
portant;"> 硅片刻蝕率
portant;"> 20 nm/min
portant;"> 樣品臺
portant;"> 直接冷卻,水冷
portant;"> 離子源
portant;"> φ20cm 考夫曼離子源
hakuto 離子刻蝕機 20ibe-j 的---構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理 考夫曼博士創(chuàng)立的 kri考夫曼公司的射頻離子源 rficp220
伯東 kri 射頻離子源 rficp 220 技術(shù)參數(shù):
portant;"> 離子源型號
portant;"> rficp 220
portant;"> discharge
portant;"> rficp 射頻
portant;"> 離子束流
portant;"> >800 ma
portant;"> 離子動能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 柵極直徑
portant;"> 20 cm φ
portant;"> 離子束
portant;"> ---, 平行, 散射
portant;"> 流量
portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通氣
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型壓力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
hakuto 離子蝕刻機 20ibe-j 理由:
1. 客戶要求規(guī)�；a(chǎn), hakuto 離子蝕刻機 20ibe-j 適合-量產(chǎn)使用
2. 刻蝕均勻性 5%, 滿足客戶要求
3. 硅片刻蝕率 20 nm/min
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