光刻膠經(jīng)過(guò)幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，衍生出非常多的種類，按照應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可以劃分為印刷電路板(pcb)用光刻膠、液晶顯示(lcd)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，nr9 3000p光刻膠廠家，pcb 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。
(1)半導(dǎo)體用光刻膠
在半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300～450nm)、g 線(436nm)、i 線 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和極紫外(euv)六個(gè)階段。相對(duì)應(yīng)于各-波長(zhǎng)的光刻膠也應(yīng)運(yùn)而生，光刻膠中的關(guān)鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化，nr9 3000p光刻膠，使光刻膠的綜合性能-地滿足工藝要求。
(2)lcd光刻膠
在lcd 面板制造領(lǐng)域，光刻膠也是極其關(guān)鍵的材料。根據(jù)使用對(duì)象的不同，可分為 rgb 膠(彩色膠)、bm膠(黑色膠)、oc 膠、ps 膠、tft 膠等。
光刻工藝包含表面準(zhǔn)備、涂覆光刻膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)-、顯影、堅(jiān)膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟，以實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，制造特定的微結(jié)構(gòu)。
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1、準(zhǔn)備基質(zhì)：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進(jìn)行處理，需要經(jīng)過(guò)脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分，并涂上用來(lái)增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二-。
2、涂布光阻劑photo resist：將硅片放在一個(gè)平整的金屬托盤上，托盤內(nèi)有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉(zhuǎn)。
3、軟烘干：也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(lái)，nr9 3000p光刻膠，從而降低了灰塵的玷污。
4、-：-過(guò)程中，光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑dq發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，變?yōu)?，進(jìn)一步水解為茚并羧酸，羧酸對(duì)堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時(shí)還會(huì)促進(jìn)酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對(duì)堿性溶劑的不同溶解度，就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。
5、顯影development ：經(jīng)顯影，正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中，-后在光刻膠層中的潛在圖形，顯-便顯現(xiàn)出來(lái)，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，以-高的顯影效果。
6、硬烘干：也稱堅(jiān)膜。顯-，硅片還要經(jīng)過(guò)一個(gè)高溫處理過(guò)程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力，nr9 3000p光刻膠哪里有，同時(shí)提高光刻膠在刻蝕和離子注入過(guò)程中的抗蝕性和保護(hù)能力。
7、刻腐蝕或離子注入
8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作保護(hù)層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分去膠和無(wú)機(jī)溶劑去膠。
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分辨率
分辨率英文名：resolution。區(qū)別硅片表-鄰圖形特征的能力，一般用關(guān)鍵尺寸cd，critical dimension來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
對(duì)比度
對(duì)比度contrast指光刻膠從-區(qū)到非-區(qū)過(guò)渡的陡度。對(duì)比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度sensitivity光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)-的圖形所需一定波長(zhǎng)光的能量值或-量。單位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光duv、極深紫外光euv等尤為重要。
粘滯性黏度
粘滯性/黏度viscosity是衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會(huì)產(chǎn)生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重sg，specific gravity是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動(dòng)性更差。粘度的單位：泊poise，光刻膠一般用厘泊cps，厘泊為1%泊來(lái)度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運(yùn)動(dòng)粘滯率定義為：運(yùn)動(dòng)粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯cs=cps/sg。
粘附性
粘附性adherence表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝刻蝕、離子注入等。
抗蝕性
抗蝕性anti-etching光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
表面張力
液體-表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力surface tension，使光刻膠具有-的流動(dòng)性和覆蓋。
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