真空電鍍?cè)O(shè)備膜厚的不均勻問(wèn)題
無(wú)論監(jiān)控儀精度怎樣，硅膠真空鍍膜設(shè)備，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來(lái)講是工件架的中間位置。如果真空電鍍?cè)O(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無(wú)法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長(zhǎng)期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對(duì)真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。
在過(guò)去幾年中，越來(lái)越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供-的小規(guī)格、簡(jiǎn)便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對(duì)性能的要求不僅沒(méi)有降低，反而有所提高，-是在薄膜密度和-吸水后光譜變化小化等方面。
現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問(wèn)題。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及-高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。
真空鍍膜機(jī)-操作步驟
一、電控柜的操作;
開(kāi)維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置v1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。 開(kāi)機(jī)械泵、予抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到v2位置，飾品真空鍍膜設(shè)備，抽到小于2為止，約需20分鐘。
觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，新北真空鍍膜設(shè)備，開(kāi)前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開(kāi)電子槍電源。
pvd是物---相沉積技術(shù)的簡(jiǎn)稱，是指在真空條件下，采用物理的方法將材料俗稱靶材或膜料氣化成氣態(tài)分子、原子或離子，并將其沉積在工件形成具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，常見(jiàn)的pvd沉積技術(shù)有：蒸發(fā)技術(shù)、濺射技術(shù)、電弧技術(shù)。
目前，提高nbfeb永磁材料耐腐蝕性能的方法有添加合金元素和外加防護(hù)性鍍層，但主要以添加防護(hù)性鍍層(金屬鍍層、有機(jī)物鍍層和復(fù)合鍍層)為主。防護(hù)性鍍層可以阻礙腐蝕相與基體之間的相互接觸從而減緩磁體的腐蝕。添加鍍層的方法有電鍍、化學(xué)鍍、物---相沉積等。
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