振鑫焱發(fā)電板回收-單晶電池片回收-單晶電池片上門回收

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。

stf 印制：

a 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   但仍可辨識(shí)時(shí)作為 a 級(jí)。若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的 1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

b 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象，單晶電池片-回收，字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ，但仍可辨識(shí)時(shí)，如實(shí)心“ p ”，若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的

1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

c 級(jí)：

若字母變形或無法辨識(shí)時(shí)直接降為 c 級(jí)。

新的標(biāo)準(zhǔn)與舊的相同

缺陷片：

1．   主柵線或副柵線或背電極或背電場超出 c 級(jí)降級(jí)片的要求時(shí)，但仍有利用價(jià)值的片子。

2．   由于存儲(chǔ)不當(dāng)造成成電極氧化時(shí)，直接以報(bào)廢片處理

3．   僅印刷烘干而沒有經(jīng)過燒結(jié)的電池片，如果還有利用價(jià)值，則租鋪位缺陷片處理

4．   完全未印制背電場的電池片作缺陷片處理。

5．   疊片仍有利用價(jià)值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報(bào)廢片處理。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度過高，首先就是 ipa不好控制，溫度一高， ipa 的揮發(fā)很快，氣泡印就會(huì)隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了 pn 結(jié)的有效面積，反應(yīng)加劇 ， 還會(huì)出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：調(diào)節(jié)機(jī)器的設(shè)置，可以-的調(diào)節(jié)溫度。

2. 時(shí)間

金字塔隨時(shí)間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降�？煽爻潭龋赫{(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)，可以調(diào)節(jié)時(shí)間。

3.ipa

1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2. 減弱 naoh 溶液對(duì)硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向因子。純 naoh 溶液在高溫下對(duì)原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大，各個(gè)晶面被腐蝕而消融， ipa 明顯減弱 naoh 的腐蝕強(qiáng)度，增加了腐蝕的各向-，有利于金字塔的成形。-含量過高，堿溶液對(duì)硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向-因子又趨于 1 。

可控程度：根據(jù)配液的含量，及每次大約消耗的量，來補(bǔ)充一定量的液體，控制精度不高。

4.naoh

形成金字塔絨面。 naoh濃度越高，金字塔體積越小，單晶電池片回收，反應(yīng)初期，金字塔成核密度近似不受 naoh 濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨 naoh 濃度變化比較-，濃度高的 naoh 溶液與硅反映的速度加快，再反應(yīng)一段時(shí)間后，金字塔體積。 naoh 濃度超過一定界-，各向-因子變小，絨面會(huì)越來越差，類似于拋光�？煽爻潭龋号c ipa 類似，控制精度不高。