晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。
一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器注意是放大器不是反相器的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般ic的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。
一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p ，175度高溫晶體諧振器代理，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。
負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20pf、30pf、50pf、100pf。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf。
激勵(lì)電平的影響：一般來(lái)講，晶體諧振器代理，at切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；---熱頻漂；過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作---及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，250度高溫晶體諧振器代理，除通常的規(guī)定外，300度高溫晶體諧振器代理，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購(gòu)時(shí)應(yīng)---說(shuō)明。
靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。
工作溫度范圍：能夠---振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。
頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度允許頻偏。
負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，用cl表示。
|
登錄后臺(tái)
滇公網(wǎng)安備 53011202000392